Reaction Bonded Silicon Carbide Tile
Reaction Bonded Silicon Carbide-ի առավելությունները
1) ցածր խտություն.
2) կոռոզիոն դիմադրություն.
3) մաշվածության դիմադրություն.
4) օքսիդացման դիմադրություն.
5) քայքայումից դիմադրություն.
6) Լավ ջերմային ցնցումների դիմադրություն (ջերմային ընդարձակման ցածր գործակցի և բարձր ջերմահաղորդականության շնորհիվ):
7) Գերազանց ուժ բարձր ջերմաստիճանում:
8) Բարդ ձևերի լավ ծավալային հսկողություն:
Հագնվելու դիմացկուն արտադրանք՝ սիլիցիումի կարբիդ ափսե, սիլիցիումի կարբիդ աղյուս, խողովակի երեսպատում, խողովակի կոն, ցիկլոն և այլն:
Վառարանների կահույք՝ ափսե, ճառագայթ, գլան, այրիչի վարդակ, կլոր ճառագայթ, քառակուսի ճառագայթ, փոս ճառագայթ։
Մյուսներ՝ ծծմբաթափման վարդակներ
Ռեակցիայի հետ կապված սիլիցիումի կարբիդի կիրառում.
Սիլիցիումի կարբիդը, որը կապված է ռեակցիայի հետ, ապացուցել է, որ հիանալի նյութական ընտրություն է մաշվածության կիրառման համար, ինչպիսիք են խողովակների ներդիրները, վարդակները, հոսքի վերահսկման խցանները և ավելի մեծ մաշվածության բաղադրիչները հանքարդյունաբերության, ինչպես նաև այլ ոլորտներում:
Հիմնական պարամետր
| Հատկություններ | Միավորներ | SiSiC/RBSIC |
| Զանգվածային խտություն (SiC) | V01% | ≥85 |
| Զանգվածային խտություն | գ/սմ3 | 3.01 |
| Ակնհայտ ծակոտկենություն | % | ＜0.1 |
| Խզման մոդուլը 20℃ | Mpa | 250 |
| Խզման մոդուլը 1200℃ | Mpa | 280 թ |
| Էլաստիկության մոդուլը 20℃ | Gpa | 330 թ |
| Կոտրվածքի ամրություն | Mpa * m1/2 | 3.3 |
| Ջերմային հաղորդունակություն 1200℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Ջերմային ընդլայնում 1200℃ | a×10-6/℃ | 4.5 |
| Ջերմային ցնցումների դիմադրություն 1200℃ | Շատ լավ | |
| Ջերմային ճառագայթման գործակիցը | <0.9 | |
| Աշխատանքային առավելագույն ջերմաստիճան | ℃ | 1350 թ |
Չափը
կարող է հարմարեցվել հաճախորդի պահանջներին համապատասխան:
Ծառայություն
Ընդունում ենք անհատական պատվերներ։
Եթե ցանկանում եք ավելի շատ տեղեկություններ իմանալ ապրանքի մասին, համեցեք կապվել մեզ հետ, և մենք ձեզ թույլ կտանք ամենահարմար ապրանքը և լավագույն ծառայությունը:
